Name: Electro-Films (EFI) / Vishay SI9933CDY-T1-E3
Brand: Electro-Films (EFI) / Vishay
SKU: SI9933CDY-T1-E3
Price: 0.3032 USD
Availability: InStock
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI9933CDY-T1-E3

Artikelnummer:

SI9933CDY-T1-E3

Hersteller / Marke:

Electro-Films (EFI) / Vishay

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Electro-Films (EFI) / Vishay SI9933CDY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI9933CDY-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Leistung - max	3.1W
Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen	SI9933CDY-T1-E3DKR
Betriebstemperatur	-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller Standard Vorlaufzeit	32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	665pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Typ FET	2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A
Basisteilenummer	SI9933
SI9933CDY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI9933CDY-T1-E3 PDF - EN.pdf

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